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SSLCHINA&IFWS2019丨襯底、外延及生長裝備(SiC·GaN)分會日程出爐

放大字體  縮小字體 發布日期:2019-11-06 09:42   來源:中國半導體照明網  瀏覽次數:449
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   一、會議簡介

  碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是重要的第三代半導體材料,在大功率高頻器件中具有重要的應用,其材料水平直接決定了器件的性能。其材料技術已成為全球高技術領域競爭戰略制高爭奪點。
  2019年11月25-27日,第十六屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2019)暨2019國際第三代半導體論壇(IFWS 2019)將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
  作為論壇的重要組成部分,本屆“襯底、外延及生長裝備”分會主題涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同(異)質外延薄膜、測試表征和相關的設備,將特別邀請國內外知名專家參加,對SiC和GaN從機理到工業化進程進行系統的探討。
  其中,北京大學物理學院教授, 理學部副主任沈波,山東大學教授,晶體材料國家重點實驗室副主任徐現剛, 日本電力中央研究所坂田修身,德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO, 美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭,美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. Rowland,俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師Andrey SMIRNOV,美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH等來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表齊聚一堂,分享前沿研究成果。
 
  時間:2019年11月26日下午14:00-17:30
  地點:深圳會展中心·五層菊花廳
 
  分會組織機構
  主辦單位:
  國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)
  第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)
  協辦單位:
  中微半導體設備(上海)股份有限公司




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